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益景盛电子主推大功率芯茂LP35116P同步整流芯片
文章作者:handler 时间:2018-03-13 04-00-21

概述

LP35116P是一款高性能高耐压的副边同步整流控制芯片,适用于AC-DC的同步整流应用,适用于正激系统和反激系统。

LP35116P支持DCM,BCM,QR和CCM多种工作模式。

LP35116P采用专利的整流管开通技术和周期追踪技术,可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作以及在CCM工作条件下纯电压判定的关断延迟造成的效率损失。

LP35116P采用专利的死区时间外置可编程技术,通过调整一个电阻阻值即可以调节系统在CCM模式下同步整流管关断的死区时间。

LP35116P内置VCC供电,在不需要辅助绕组供电的情况下,保证AC-DC控制器在多种输出电压条件时,芯片VCC供电脚都不会欠压。

LP35116P采用SOT23-5封装。

特点

n 隔离型的同步整流控制应用

n 适用正激和反激系统

n 兼容DCM,BCM,QR,CCM多种工作模式

n 控制芯片200V高耐压

n 专利的整流管开通技术和周期追踪技术

n 内置VCC供电

n 芯片供电欠压保护

n 芯片过压钳位

n 芯片启动前驱动脚防误导通

n 外围元器件少

n SOT23-5封装

应用

n 充电器和适配器的同步整流

n 正激控制器和反激控制器

 

应用信息

LP35116P是一款高性能高耐压的副边同步整流芯片,适用于隔离型的同步整流应用,适用于正激和反激系统,支持DCM,BCM,CCM和QR多种工作模式。LP35116P采用专利的整流管开通技术和周期追踪技术,可以有效避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作以及在CCM工作条件下纯电压判定的关断延迟造成的效率损失。LP35116P内置VCC供电技术,在不需要辅助绕组供电的情况下,保证AC-DC控制器在多种输出电压条件时,芯片VCC供电脚都不会欠压。

启动

当系统上电后,通过内置MOS的体二极管对输出电容充电,输出电压上升。LP35116P通过D脚连接输出电压,当输出电压上升时,经过芯片内部供电电路,给VCC电容充电,当VCC的电压充到开启阈值电压时,芯片内部控制电路开始工作,MOS正常的导通和关断。MOS正常的导通时,电流不再从体二极管流过,而从MOS的沟道流过。芯片正常工作时,所需的工作电流仍然会通过D脚,给VCC供电。

内置VCC供电技术

情况1:外置MOS管,CISS≤8nF时,通过D脚给VCC供电。

情况2:外置MOS管,CISS>8nF,通过D脚给VCC供电能力会不足,VCC需外加CVF电路加强供电,CVF电路如下:

C1:取同步整流MOS管CISS寄生电容的1/10;C1可以适当调整,尽量使VCC工作于6V

D1、D2:用4148

同步整流管导通

DCM工作时,由于电感的激磁作用,当初级芯片关断时,会产生振荡。为了防止误检测振荡信号,导致同步整流管的异常开启,LP35116P采用专利的整流管开通技术。

当初级芯片关断时,次级LP35116P的漏极D与GND之间的电压迅速下降。LP35116P通过检测D和GND之间的下降电压阈值和下降速率,能准确的判断同步整流管的开启。

同步整流管关断

为了避免同步整流管导通时,因激磁振荡幅度较大,导致误检测关断信号,使同步整流管异常的

关断;LP35116P采用专利的周期追踪技术以及设定的整流管关断第一电压阈值和第二电压阈值, 能准确地判断同步整流管的关断。

可编程的死区时间设置

LP35116P 的死区时间可以通过T 脚位外接电阻灵活设置。当T 脚位悬空时,无死区时间;当T 脚位接电阻时,死区时间设置公式如下:

𝑇𝐷𝑒𝑡 = 350 + 15R;

R≤150KΩ;

其中TDet 要设置的死区时间(单位nS),R 为T 脚位接的外部电阻(单位KΩ)。

保护功能

LP35116P集成了VCC欠压保护,过压钳位,以及驱动脚去干扰等技术。

PCB设计

在设计LP35116PPCB时,需要遵循以下指南:

主功率回路走线要短粗;

主功率回路不要包围芯片;

DRV与功率管栅极的连线越短越好;

GND与功率管源极的连线越短越好;

VCC旁路电容紧靠芯片VCC管脚和GND管脚;

T脚电阻紧靠芯片T脚和GND管脚;

D引脚的铺铜面积适当大些以提高芯片散热。

 

 

 

 

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